2纳米制程

半导体器件制造
金屬氧化物半導體場效電晶體
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022 002 nm – 2025
未來 001 nm ~ 2027
晶體管數量 互補式金屬氧化物半導體 半导体器件（多閘極電晶體） 摩尔定律 晶體管數量 半导体 半导体产业 纳电子学

在半导体产业中，2納米制程是在3纳米制程技術水準之后的下一个半导体制造制程。

台积电和三星皆規劃於2025年量產，英特尔最早宣布2027年量產，在更改節點命名後20A製程預計2024年量產。^[1]

國際裝置與系統發展路線圖（IRDS）於2017年發布的版本中，預測2.1奈米製程將於2027年前後進入量產階段^[2]。

2018年底，台積電董事長劉德音指出，半導體製程節點將持續推進至3奈米與2奈米水準^[3]。至2019年間，部分半導體產業分析人士對先進製程於3奈米以下的技術可行性與量產節奏仍持觀望態度^[4]。

台積電於2019年啟動2奈米製程相關研究^[5]，並規劃於製程微縮過程中，將電晶體結構由FinFET轉換為闸极全环晶体管（GAAFET）^[6]。相關報導指出，其2奈米製程預計於2023年至2024年間進入風險試產階段^[7]。

2020年8月，台積電於新竹科學工業園區設立2奈米技術研發實驗室，並規劃自2021年起逐步投入運作^[8]。同年9月，劉德音表示，公司將於新竹設立2奈米等級晶圓廠，並視需求於台中市中部科學工業園區配置產能^[9]，並規劃於2025年投入量產^[10]。

英特爾於2019年提出的製程藍圖中，原規劃於2029年量產1.4奈米製程^[11]；其後隨節點命名調整，14A（約1.4奈米）製程目標時程提前至2028年。英特爾於2019年公布的製程藍圖中，規劃於2027年達成2奈米製程節點^[12]。2021年7月，英特爾宣布調整節點命名方式，將2奈米製程命名為「Intel 20A」，其中「A」代表埃格斯特朗（Å），相當於0.1奈米^[13]。進入2020年代中期後，英特爾規劃18A（約1.8奈米）製程於2026年量產^[14]；英特爾與台積電皆規劃於2028年量產1.4奈米製程，三星電子則預計於2029年投入量產^[15]。此外，台積電亦規劃於2026年量產1.6奈米製程^[16]，並以2030年達成1奈米製程為長期目標^[17]。

2021年5月，IBM宣布其位於美國紐約州奧爾巴尼的研發中心成功製造出全球首顆2奈米製程的GAAFET晶片^[18][19]。

2022年8月，日本成立Rapidus公司，目標於2027年實現2奈米半導體製程^[20]。

2025年12月，台積電宣布2奈米製程晶片正式進入量產階段^[21]。

IRDS亦曾於路線圖中預測，1.5奈米製程將於2030年量產，1奈米製程則預計於2033年實現^[22]。